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電磁兼容中測(cè)產(chǎn)生的高頻效應(yīng)如何解決

電磁兼容性問題通常發(fā)生在高頻狀態(tài)下,除個(gè)別問題(電壓下降和瞬時(shí)中斷等)外。因此,在電磁兼容性設(shè)計(jì)中必須有高頻思維,總之,是注意高頻條件下設(shè)備和電路的特點(diǎn),在高頻和傳統(tǒng)頻率狀態(tài)下不同,如果仍按照普通工程思維進(jìn)行判斷和分析,就會(huì)進(jìn)入設(shè)計(jì)誤解。

一.電容

在中低頻或直流情況下,電容器是一個(gè)儲(chǔ)能組件,只表現(xiàn)為一個(gè)電容器的特性,但在高頻情況下,它不僅是一個(gè)電容器,它具有理想的電容器特性、漏電流(R在高頻等效電路上)、      導(dǎo)線電感和ESR(等效串聯(lián)電阻),導(dǎo)致電壓脈沖波動(dòng),如圖所示:


 國(guó)產(chǎn)電磁兼容儀器設(shè)備


從這張圖中分析,可以幫助我們的設(shè)計(jì)師得到很多有益的設(shè)計(jì)思路。

首先,按照常規(guī)思路,Z=1/(2πFC),Z是電容的容抗,應(yīng)該是頻率越高,容抗越小,濾波效果越好,也就是頻率越高,雜波越容易泄漏,但事實(shí)并非如此。由于引線電感的存在,一個(gè)電容器只有在其1/2πFC=2πFL等式成立時(shí),才是整體阻抗最小的時(shí)候,濾波效果最好。如果頻率高低,濾波效果會(huì)下降。因此,我們可以分析為什么ICVC端會(huì)添加兩個(gè)電容器,一個(gè)電解電容器和一個(gè)陶瓷電容器,容值一般相差100倍以上,用于增加電容器的濾波帶寬。

 

解決方法:

用BDL濾波器代替多個(gè)普通的退耦電容器。

BDL是一種新一代電容器。在高頻狀態(tài)下,BDL的專利內(nèi)部結(jié)構(gòu)大大降低了高頻寄生效應(yīng)。在高頻下,由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平衡,具有更好的濾波和去耦效果。

國(guó)產(chǎn)電磁兼容儀器設(shè)備

 

要了解BDL的平衡特性,首先要了解其物理結(jié)構(gòu),從圖中可以看出:

標(biāo)準(zhǔn)旁路電容由連接到A和B兩極的交替平行電極板組成。

BDL增加了兩個(gè)并聯(lián)參考電極G1.G2,平行印刷在A.B電極之間,形成法拉第屏蔽籠或同軸結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)平衡和減少ESL。


國(guó)產(chǎn)電磁兼容儀器設(shè)備

 

這種專利結(jié)構(gòu)給我們帶來的是BDL比普通電容器有更寬的濾波頻帶。現(xiàn)在只需要一個(gè)BDL濾波器就可以解決原本需要多個(gè)普通電容器的濾波頻帶,與結(jié)構(gòu)相似的穿心電容器相比,不受流量限制。


二.電感

電感和電容器是一個(gè)有點(diǎn)相反的裝置,一個(gè)是低阻力;一個(gè)是低阻力。如果暫時(shí)忽略電容器的分布,電感阻抗主要由兩部分組成:一部分是電阻成分(R),另一部分是感抗成分(FL),即:

Z=2πfl


國(guó)產(chǎn)電磁兼容儀器設(shè)備

 

電阻成分來自繞組電感線的電阻和磁芯的損耗。作為電磁干擾抑制的電感,我希望電阻成分越大越好。因?yàn)殡娮杩梢詫⒏蓴_能量轉(zhuǎn)化為熱量消耗,而感應(yīng)阻力只是將干擾能量反射回信號(hào)源。

雖然電感阻抗在形式上隨著頻率的增加而增加,但在不同的頻率范圍內(nèi),性質(zhì)完全不同。

低頻:磁芯磁導(dǎo)率高,電感電感大,電感電阻成分小,阻抗以感抗為主,是一種低損耗、高Q值特性的電感。

當(dāng)頻率較高時(shí):隨著頻率的增加,磁芯的磁導(dǎo)率降低,導(dǎo)致電感的電感成分的電感減少。然而,當(dāng)磁芯損耗增加時(shí),電阻成分增加,電阻成分主要是電阻成分。因此,當(dāng)高頻信號(hào)通過鐵氧體時(shí),電磁能量以熱的形式消散。

 

解決辦法:

磁芯材料是選擇的重點(diǎn),無論是共模電感還是差模電感。磁芯材料的飽和特性是使用差模電感磁芯時(shí)最重要的。作為共模電感磁芯,往往更注重磁芯材料的磁導(dǎo)率。

一般有兩種材料用作差模電感磁芯:一種是鐵粉芯,另一種是鐵鎳鉬芯。鐵芯價(jià)格較低,但在400Hz電流條件下使用時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)過熱問題。這兩種材料最大的優(yōu)點(diǎn)是不易飽和。但磁導(dǎo)率較低。

鐵氧體材料主要用作共模電感磁芯,常用于錳鋅鐵氧體和鎳鋅鐵氧體。雖然錳鋅鐵氧體的直流磁導(dǎo)率較高,但隨著頻率的增加而迅速下降;此外,由于該磁體具有良好的導(dǎo)電性,繞組-磁芯之間會(huì)產(chǎn)生較大的分布電容,因此僅適用于低頻場(chǎng)合。鎳鋅鐵氧體的直流磁導(dǎo)率較低,但可以保持較高的頻率。此外,該磁體具有較大的電阻,適用于頻率較高的場(chǎng)合。

 

三、電纜和PCB布線。

 

國(guó)產(chǎn)電磁兼容儀器設(shè)備

PCB布線的高頻等效特性(如圖所示),無論高頻或低頻,布線電阻都是客觀存在的,但對(duì)于布線電感,只有在高頻時(shí)才能顯示。此外,還有一個(gè)分布式電容器,但當(dāng)導(dǎo)線附近沒有導(dǎo)體時(shí),這個(gè)分布式電容器是無用的,就像沒有男人,女人不能生孩子一樣,這需要兩個(gè)導(dǎo)體來發(fā)揮作用。因此,我們應(yīng)該關(guān)注電纜或PCB布線引起的共模噪聲。

共模輻射是由電路中不希望的電壓降引起的。該電壓降使系統(tǒng)的某些部分處于高電位。當(dāng)外部電纜與系統(tǒng)連接時(shí),外部電纜在共模電壓的作用下被激勵(lì),形成輻射電場(chǎng)的天線。


國(guó)產(chǎn)電磁兼容儀器設(shè)備


 

因此,在設(shè)備設(shè)計(jì)中應(yīng)考慮外部電纜的濾波器和內(nèi)部線束的布局。

 

解決方法:

1.降低共模電壓。

降低共模電壓的目的是降低共模電流。當(dāng)共模電路阻抗一定時(shí),降低共模電壓可以降低共模電流。

(1)電纜接口設(shè)置清潔:清潔無噪聲電壓,將電纜連接到接地線,可有效降低共模電壓。通常與金屬底盤連接,以進(jìn)一步降低共模電壓。

(2)屏蔽內(nèi)部電纜:當(dāng)內(nèi)部電纜較長(zhǎng)時(shí),更容易感應(yīng)較高的共模電壓。此時(shí),內(nèi)部電纜可以屏蔽,屏蔽層需要與金屬底盤連接。

 

2.控制電纜長(zhǎng)度。

在滿足使用要求的前提下,盡量使用短電纜。但電纜長(zhǎng)度往往受設(shè)備之間連接距離的限制,不能隨意縮短。此外,當(dāng)電纜長(zhǎng)度不能降低到波長(zhǎng)的1/2時(shí),降低電纜長(zhǎng)度的效果并不明顯。

電纜和電纜之間的間距不應(yīng)太近,否則信號(hào)電纜之間的串?dāng)_會(huì)由于電線分布電容的存在而引起。當(dāng)然,信號(hào)線最好更接近地線的耦合,這樣信號(hào)線上的波動(dòng)干擾就可以很容易地排放到地線上。

 

3.增加共模電流環(huán)路阻抗。

(1)斷開電路板與機(jī)箱之間的連接(只有低頻段有效);

(2)在電纜或接口端串聯(lián)共模扼流圈:共模扼流圈可以對(duì)共模電流形成較大的阻抗,對(duì)差模信號(hào)沒有影響,所以使用起來很簡(jiǎn)單,不需要考慮信號(hào)失真,共模扼流圈不需要接地,可以直接添加到電纜上。

 

4.共模濾波。

解決電纜輻射的另一個(gè)有效方法是對(duì)電纜進(jìn)行共模濾波。共模濾波的原理是利用低通濾波電纜上的高頻共模電流成分,這是電纜輻射問題的主要原因。

 

5.屏蔽電纜。

屏蔽層直接阻擋電纜中差模信號(hào)電路的差模輻射;為共模電流提供返回共模噪聲源的路徑,減少共模電流的回路面積。

用屏蔽電纜控制共模輻射的關(guān)鍵是為共模電流提供低阻抗通道,使共模電流通過屏蔽層流回共模電壓源。電纜屏蔽層提供的共模電流通道的阻抗由兩部分組成:一部分是屏蔽層本身的阻抗;另一部分是電纜屏蔽層與金屬底盤之間的重疊阻抗。

因此,在電磁兼容設(shè)計(jì)中,為了形成低阻抗通道,不僅要求電纜本身的屏蔽層質(zhì)量良好(低射頻阻抗),而且電纜屏蔽層與金屬底盤之間的重疊阻抗應(yīng)盡可能低。確保電纜屏蔽層與底盤之間的低阻抗重疊的方法是在360°范圍內(nèi)連接底盤。換句話說,電纜屏蔽層與金屬底盤形成完整的屏蔽,這與底盤是否接地?zé)o關(guān)。


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